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iPhone 5 : le nouvel écran tactile in-cell ultra fin

Tech > Mobile
Par Jennifer Larcher,  publié le 4 juillet 2012 à 20h56, modifié le 4 juillet 2012 à 21h09.

Le prochain Smartphone sera doté d’un écran 4 pouces, c’est une certitude, mais il sera également beaucoup plus fin. Le téléphone sera ainsi ultra plat proposant un design novateur et très attractif.

Les premières images du Smartphone sont arrivées sur Internet en début de semaine confirmant de nombreuses rumeurs. L’écran est l’objet de tous les désirs des amateurs de la pomme. Apple propose donc un format 4 pouces avec une nouvelle technologie tactile. Cette fois la source partageant cette donnée est fiable puisqu’il est provient du fournisseur d’Apple. Ce dernier nommé Wintek a la lourde tâche de fournir les prochains écrans du Smartphone. Ce dernier sera doté de dalles in-cell lui permettant d’apporter un design ultra fin.

Cette information est confirmée par la baisse de 30% du chiffre d’affaires du fournisseur. Cette diminution serait due à la nouvelle stratégie d’Apple, celle de fournir des écrans In-cell. Le concept est fort intéressant puisque la couche tactile est directement intégrée dans l’écran. Le gain de place est donc considérable, le téléphone pourra ainsi être diminué de 0.5 millimètre. Cette mesure peut paraitre anodine, pourtant l’iPhone 4S a une épaisseur de 9.3 millimètres.

Apple est le principal fournisseur de Wintek comme il ne peut pas proposer cette nouvelle technologie, son chiffre d’affaires sur les derniers mois a subi une forte baisse. Il perdra ainsi dans les prochaines générations des Smartphones de la marque à la pomme des parts de marché assez importantes. Actuellement, très peu d’entreprises ont l’opportunité de proposer les dalles in-Cell, il s’agit de Sony, Sharp et Toshiba. L’avantage pour la firme de Cupertino est également considérable puisqu’il permet de réduire le temps de fabrication, il est conçu 60% plus vite. La finesse de l’iPhone 5 rejoint ainsi le format du dernier produit de son rival Samsung avec le Galaxy SIII.

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